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我國科研工作者也立足于二維材料在未來科技領域的巨大應用前景

文章作者:www.utbltn.icu發布時間:2019-12-18瀏覽次數:1457

自2004年發現石墨烯以來,二維原子單晶,包括石墨烯,過渡金屬硫屬元素化物(TMDs)和最近發現的元素二維X-烯(Xenes,如phosphene,Silene和銻),已成為前沿材料科學由于其獨特而優異的物理和光學特性。發現者A. Geim和K. Novoselov還因摩爾時代電子,信息和能源的快速發展而獲得2010年諾貝爾物理學獎。與傳統半導體如Si基和GaAs基相比,二維材料具有高遷移率,高吸光度,CMOS兼容性,高透明度,韌性和低成本,為可穿戴設備的發展提供了新的材料基礎和平臺,高密度和智能光電集成電路。

中國的科研人員也是基于二維材料在未來科技領域的巨大應用前景,開展了大量前瞻性的基礎和應用研究工作,搶占二維新興的國際制高點領域。作為半導體領域的知名核心期刊,《半導體學報》也報道了國內外該領域的最新發展,并邀請了中國科學院半導體研究所研究員李靜波,南京大學王新然教授擔任客座編輯,出版了題為“二維材料與器件”的書。特刊。李靜波集團是世界上最早開發二維半導體材料和器件的研究團體之一,受到國際學術界的廣泛關注。該組的核心成員霍能杰博士和楊玉璽博士于2017年3月《半導體學報》。發表了題為“基于2D TMD和異質結構的光電子學”的原始論文[5]。本文系統地報道了自行開發的二維半導體及其異質結材料制備方法,厚度依賴性光學性質(PL和拉曼),以及高性能光電器件(包括晶體管,光電探測器和光伏電池)。研究工作在促進和指導二維半導體技術的發展方面發揮了一定的作用。特別是,詳細研究了二維TMD和異質結對聲子模和帶結構的層間耦合和量子限制效應的重要影響和內在機制。發現單層TMD具有直接帶隙結構并表現出優異的性能。熒光性能

最近,麻省理工學院(MIT)的Jeehwan Kim教授在2018年11月發表了一篇題為“晶圓尺度二維材料原子精確處理的可控裂紋擴展”的論文[6]。首先發展了一種層分辨分裂(LRS)技術來生產晶圓尺度的單層二維材料,對二維半導體技術的商業化具有里程碑意義。值得注意的是,科學論文在兩個地方引用了上述[0x9A8b]論文。他們用一個大截面報道了[0x9A8b]報道的結果(即單層ws2~1.99 eV的直接帶隙和強熒光性質(圖1a)),這是他們成功制備單層ws2的重要依據之一。

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